標題: [新聞] 台積電成功開發28奈米低耗電製程
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發表於 2009-6-19 13:37  資料  個人空間  主頁 短消息  加為好友 
台積電成功開發28奈米低耗電製程

台積電(TSMC)宣佈成功開發28奈米低耗電技術,同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)製程,將32奈米製程所使用的氮氧化矽(Silicon Oxynitride,SiON)/多晶矽(poly Si)材料延伸至28奈米製程,使得半導體可以持續往先進製程技術推進。
該篇論文中並指出,使用28奈米雙/三閘極氧化層系統單晶片技術所產出的64Mb SRAM,良率十分優異。此一SRAM的元件尺寸為0.127平方微米,晶片閘密度(raw gate density)達每平方公釐390萬個閘。在SRAM Vcc_min、電子熔線及類比領域的優異表現足以證明此製程技術的可製造性(manufacturability)。
此一領先的製程技術再次展現台積公司在低耗電、高效能製程採用氮氧化矽/多晶矽材料,提供客戶深具成本效益解決方案的承諾及能力。在這篇論文中,藉由應變矽(straining engineering) 與氧化層厚度最佳化的氮氧化矽材料所產出的電晶體,與前一世代的45奈米製程技術相較,不但速度提高25~40%,操作功耗減少30~50%,還擁有低待機及低操作功耗的優勢。
台積電早在2008年9月即宣佈將28奈米製程定位為全世代(Full Node)製程,提供客戶使用具能源效率的高效能及低耗電製程技術,並預計於2010年初開始生產。該公司預計將依照原定時程提供客戶28奈米技術平台。





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