大陸南車大功率IGBT產業化基地25日在株洲奠基，這標誌著大陸首條8英寸IGBT晶片生產線專案正式啟動。　

　據大陸中新社報導，IGBT(新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型電晶體)是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用於軌道交通、航空航太、船舶驅動、智慧電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。　

　占地160畝、由大陸南車株洲所具體實施的大陸南車大功率IGBT產業化基地專案，總投資14億元人民幣，預計到2013年正式投產。項目建成後，將具備年產12萬片8英寸IGBT晶片和100萬隻IGBT模組的能力，年產值超過20億元。　

　“目前，國內缺少IGBT的產業化設計、生產、封裝、測試和可靠性試驗等一套完整的技術，國內IGBT的主要供應商為外國廠商。大功率IGBT產業化基地的建設，將改變核心技術受制於人，產品依賴進口的不利局面，提升大陸軌道交通等重大裝備製造業的核心競爭力。”南車株洲所總工程師馮江華表示。　

　記者瞭解到，該基地除建設一條國際領先的8英寸IGBT晶片生產線外，還將建設9條滿足不同行業用的IGBT模組生產線。產品電壓等級從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動汽車、風力發電、太陽能發電、智慧電網、高壓變頻、工業傳動等多個行業需求，成為大陸首個完全依靠自主能力建設、設計規模最大、技術實力最強、產品型譜最全的大功率IGBT產業化基地。　

　作為大陸唯一掌握IGBT晶片設計—晶片製造—模組封裝—系統應用完整產業鏈的企業，大陸南車的技術研發、產品設計、製造與銷售都定位在面向全球佈局。2010年，大陸南車在海外成立功率半導體研發中心，負責承擔電力電子器件中長期戰略專案和重大專案的技術跟蹤、研究和開發，專門從事高壓IGBT晶片技術研究和新一代IGBT器件開發，支撐並引領公司大功率半導體器件產業的可持續發展，縮短與國際最先進水準的差距。　

　大陸南車透露，期望通過大功率半導體器件IGBT產業化專案的建設，實現晶片—模組—系統應用的完整產業鏈，填補大陸在這一領域的技術和產品空白，實現電力電子器件的技術跨越，佔領技術制高點，實現大陸南車“十二五”期間打造全球大功率半導體器件前三強目標。