電子巨擘英特爾與IBM公司不約而同宣布，他們已經突破奈米障礙，開發出速度更快、更省電，並可與現有生產技術相容的微處理器。這是半導體晶片近四十年來最重大突破，可讓晶片運算速度在未來十年間不斷地再提高。
英特爾與IBM都宣布已經掌握新方法，可用新材質替代目前有瑕疵的微處理晶片材質，英特爾並聲稱已開發出採用高介電率閘極（high k metal gates）新材質的微處理器，將晶片寬度由目前的六十五奈米縮小到四十五奈米，並預定今年下半年量產；IBM預定明年推出配置相同技術晶片的伺服器，協助IBM開發這項技術的晶片製造大廠美商超微公司（AMD）則計畫明年中推出四十五奈米製程產品。
英特爾表示，用這種稱為「鉿」（Hafnium）的材質，可節電百分之卅的新金屬材質所製造的晶片，不僅可應用在電腦上，還能運用在消費性電子裝置上。結合了運算能力與節能的處理器，可以讓諸如手機等裝置長時間播放影片，但消耗的電力卻更少。
英特爾共同創辦人摩爾曾經預言，晶片的電晶體數量大約每一年半到兩年即增加一倍。迄至目前為止，晶片的研發進展大致符合這項所謂的摩爾定律，業界並不斷推出速度更快，功能更強大，散熱更少，成本更低廉的微處理器。不過近年來，業界已經無法解決最細微晶片溢出電流的問題，使摩爾定律受到挑戰。
英特爾說，這項新突破可確保摩爾定律在未來十年間依舊有效。現已七十八高齡的摩爾廿六日發表聲明，表示英特爾團隊這項創新，是自一九六九年該公司使用多晶矽（polysilicon）以來，電晶體科技最大的變革。英特爾研發主管杜赫提說，這個團隊如果有人獲諾貝爾獎提名，他不會感到意外。
微處理晶片電路越來越小，運算速度更快，效率更高，溢出的電流卻太多。癥結在於，四十多年來充當電晶體內部絕緣體的二氧化矽愈做愈薄，以致電流更容易溢出，除浪費電力，並產生不必要的熱度。
英特爾與IBM分別表示，他們已經找到可以取代原有材質的方法。英特爾表示，新材質可使電晶體性能提高百分之廿；IBM並未公布其計畫的具體細節。
半導體專家藍莫斯表示：「以摩爾定律而言，這項突破給予晶片產業新生命，三個關鍵分別是性能、電力消耗、電晶體密度。它奠定快速提升的基礎。」
【2007/01/28 聯合報】
